В вашей корзине
(пусто)
 

Суперэнергоэффективная память

21 Май 19
21 Мая 2019, 12:11
Ученым из МФТИ и их коллегам из Германии и Нидерландов удалось добиться переключения намагниченности материала на предельно коротких временах и с минимальными энергетическими затратами — разработать прототип энергоэффективных запоминающих устройств.

Наиболее надежной реализацией хранения данных является кодирование двоичных “0” и “1” за счет определенной ориентации микроскопических магнитов — спинов — в магнитных материалах. Такая схема реализована, например, в жестких дисках. При этом изменение, или “перемагничивание”, бита обычно осуществляется с помощью импульсного магнитного поля. Однако такой способ весьма неэффективен в смысле потребления энергии и времени переключения состояний.

Еще в 2016 г. ученые предложили способ быстрого переключения спинов в ортоферрите туллия (TmFeO3) с помощью воздействия Т-лучей. Такой способ “перемагничивания” оказался более быстрым и эффективным, чем переключение спинов импульсным магнитным полем, за счет особой связи между спиновыми состояниями и электрической составляющей Т-импульса.

Основным результатом работы нескольких команд стала структура, которая является перспективным прототипом будущих запоминающих устройств. Подобные устройства будут иметь компактный размер и возможность передавать данные за пикосекунды, и при этом за счет усиления антеннами такие накопители будут совместимы с чиповыми источниками Т-лучей.

Возврат к списку

 

Главные события

28 Января 2016
22 Декабря 2017
18 Сентября 2015
2 Ноября 2015